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研发中心

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博沃研发中心拥有研发队伍 50 余人,聚焦汽车电子零部件系统的正向开发与集成创新,覆盖低压配电、高压配电、电子电控及精密塑料件等产品方向。中心具备从产品原理设计、结构设计、PCB 设计到仿真验证、样件试制与量产导入的全流程研发能力,并以 DFMEA 设计、CAE 仿真及全生命周期质量管控为支撑,持续为自主及合资品牌主机厂提供电子电气类产品与协同开发服务。

博沃设计能力

设计能力Design Capability

围绕产品三维模型,建立覆盖结构、电气、工艺多维度的正向设计体系,从源头保证产品可靠性。

结构设计

  • DFMEA 设计
  • 壁厚设计
  • 拔模角度检查
  • 尺寸链公差分析
  • 干涉检查

电气 / 软件设计

  • 原理设计
  • PCB 设计
  • 载流计算
  • 软件开发
博沃CAE仿真能力

CAE 仿真能力CAE Simulation Capability

以多物理场仿真实现"设计—分析—优化"闭环,在产品投产前完成性能验证与结构优化。

  • 热仿真
  • 端子匹配设计分析
  • 模态分析
  • 机械冲击
  • 强度分析
  • 模流分析
博沃低压产品型谱

产品型谱 · 低压产品Low-Voltage Product Spectrum

汽车电子产品

  • Gateway 网关
  • BLE & CBM & NFC 无钥匙系统
  • NDT 动态标签

低压配电产品

  • UEC 前舱配电盒
  • IEC 仪表配电盒
  • BCM 车身控制器
  • PFB 蓄电池配电盒
  • 12V / 48V 集成化 eFuse 电源管理模块
  • 12V 电源域控制器(二级配电 + L3 冗余方案)
  • 一级配电与电池管理集成 · 集成化域控方案 · 智驾应用
博沃高压产品型谱

产品型谱 · 高压产品High-Voltage Product Spectrum

高压配套产品

  • PDU(高压配电)
  • PEU
  • iPDU
  • DCDC
  • BUD-1000V
  • eBDU-eFuse & IGBT
  • eBDU-eFuse & SiC MOSFET

高压配电产品

  • BDU(分体式 / 一体式 / 液冷)
  • iBDU
  • BMS + eFuse
  • 集成化域控方案(BDU + BMS)
  • 监控 · 诊断 · 保护
【微信客服】
工作时间 周一到周六 9:00-18:00
13270616999
联系人:季林冲
邮箱:lcji@bovotech.cn
地址:南通高新区西区大连路西侧
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